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具有掺杂夹层结构的氧化锌基发光器件 2018.04.14

| 成果概况

本发明所设计的掺杂夹层型ZnO基发光器件芯片材料,由衬底、ZnO基材料缓冲层、ZnO基材料下限制层、ZnO基材料有源层、ZnO基材料上限制层、ZnO基材料盖层等部件构成,其特征是添加了掺杂夹层,掺杂夹层是含有可在ZnO基材料中起受主作用杂质的能对ZnO基材料进行p型扩散掺杂的材料,如GaAs,InP等材料构成,其制备方法可以是溅射法、PLD法、MBE法或蒸发法。


| 成果成熟度

实验室成果。


| 应用领域及市场前景

本发明属于一种氧化锌(ZnO)基材料的发光器件结构及其制作工艺。可以克服ZnO基材料p型掺杂难的问题,提供一种利用掺杂夹层进行可控掺杂的工艺方法,工艺简单,易形成突变结,操作安全性高。


| 合作方式

合作开发、技术入股、技术转让、实施许可。



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