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一种基于GaxIn1-xAs1-ySby四元半导体的异质结热光伏电池 2018.04.18

| 成果概况

本发明涉及一种基于晶格匹配的GaxIn1-xAs1-ySby四元半导体的高转换效率的异质结热光伏电池。器件结构如图所示。本发明的优点:采用N型宽禁带Gax1In1-X1As1-y1Sby1/P-型窄禁带Gax2In1-x2As1-y2Sby2异质结作为器件的有源区,由于异型异质结的P区和N区费米能级之差更大,内建电场更高,因此可以提高电池的开路电压;采用P+型宽禁带Gax3In1-x3As1-y3Sby3作为限制层,能够提供限制P-型窄禁带Gax2In1-x2As1-y2Sby2有源层少子的正面电场,因此可以降低少子的界面复合几率,提高电池的光电转换效率;充分利用GaxIn1-xAs1-ySby四元半导体可独立选择禁带宽度和晶格常数的灵活性,采用晶格匹配的多层异质结提高热光伏电池的性能。


| 成果成熟度

实验室成果。


| 应用领域及市场前景

本发明属于热光伏技术领域,应用于低温辐射器热光伏系统,稳定性好,安全系数高,可以应用于航天、军事、工业、生活等领域,应用前景广泛。


| 合作方式

合作开发、技术入股、技术转让、实施许可。



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